возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Описание
Модуль энергонезависимой памяти на основе ферроэлектрической оперативной памяти (FRAM) объемом 64 кбит (8 кБ) предлагает быстрое и исключительно надежное решение для хранения данных в электронных проектах. FRAM сочетает в себе преимущества оперативной памяти (очень высокая скорость чтения и записи) с энергонезависимостью флэш-памяти или EEPROM, сохраняя данные даже при отключении питания. Благодаря интерфейсу SPI модуль идеально подходит для использования с микроконтроллерами и платформами для прототипирования.
Характеристики
Емкость: 64 кбит / 8 кБ
Тип памяти: FRAM – энергонезависимая.
Интерфейс связи: SPI (до 20 МГц)
Очень быстрая запись и чтение данных (как в SRAM).
Исключительно высокая износостойкость: до 10¹³ циклов чтения/записи.
Нет необходимости управлять страницами памяти.
Сохранение данных до 95 лет при комнатной температуре.
Питание и логика: 3,3 В и 5 В
Низкое энергопотребление – идеально подходит для приложений с питанием от батарей.
Плата расширения, совместимая с макетными платами.
Включено
Модуль памяти FRAM на 64 кбит (8 кБ) на плате расширения
Полоска из позолоченных контактов диаметром 2,54 мм для самопайки.